우리는 우주의 크기 제한을 향해 천천히 움직이고 있지만 플랑크 크기에 도달하기 전에 몇 가지 더 이동해야 합니다. 이것은 미래의 스마트폰에서 더 작고, 더 빠르고, 더 효율적인 칩을 의미합니다.
양자 물리학을 건너뛰고 뉴스로 바로 가자(아래 설명 섹션에서 플랑크 상수에 대해 자유롭게 논의할 수 있음). TSMC가 로드맵을 발표하여 3nm 및 2nm 칩을 기대할 수 있는 시점을 밝힌 후 이제 삼성은 한국 화성 공장에서 3nm 반도체 칩 생산을 시작한다고 발표했습니다.
삼성은 GAA(Gate All-Around)에서 FinFET(Fin Field-Effect Transistor)로 전환하는 새로운 아키텍처로 전환하고 있습니다. 물리학이 방해가 될까봐 걱정된다면 숨을 고르세요. GAA는 FinFET에 비해 많은 이점을 제공합니다. 주요 이점은 더 높은 전력 효율성입니다.
삼성의 3nm 제조 분야에서 또 다른 신기술은 나노시트 트랜지스터 제조입니다. 이것은 나노와이어 기술을 대체하며 이 경우 다시 효율성과 효율성을 높입니다. 나노시트를 사용하면 나노시트의 크기를 변경하여 이러한 성능 및 성능 매개변수를 보다 쉽게 조정할 수 있습니다.
삼성은 새로운 3nm 노드를 이전 5nm 제조 공정과 비교하는 몇 가지 인상적인 수치를 인용했습니다. 새로운 칩은 23% 향상된 성능, 45%의 전력 소비 감소 및 16%의 면적 감소와 함께 제공되어야 하며 3nm 실리콘의 1세대가 될 것입니다.
2세대는 전력 효율성이 50% 크게 향상되고 성능이 30% 향상되며 설치 공간이 35% 감소합니다. Dr. 삼성전자 파운드리사업본부장 겸 사장. 다음은 Chung Choi의 영감을 주는 짧은 인용문입니다.
삼성은 파운드리 업계 최초의 Hi-K 메탈 게이트, FinFET 및 EUV와 같은 차세대 제조 기술 사용에서 리더십을 지속적으로 입증하면서 빠르게 성장했습니다. 우리는 MBCFETTM으로 세계 최초의 3nm 공정으로 이 리더십을 계속 이어가고 싶습니다. 우리는 경쟁력 있는 기술 개발에 적극적으로 혁신하고 기술 성숙도에 더 빨리 도달하는 데 도움이 되는 프로세스를 개발할 것입니다.
한국 회사는 고객이 칩을 더 빠르고 쉽게 설계할 수 있도록 노력하고 있습니다. 삼성의 SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem)는 신기술을 사용하여 3nm 칩을 설계하려는 파트너를 돌볼 것입니다.
공장을 떠나는 최초의 3nm 스마트폰 프로세서는 차세대 Exynos 2300(S5E9935 코드명 Quadra)이 될 것입니다. GAA와 3nm로의 도약은 스마트폰 매니아들 사이에서 그다지 인기가 없고 Qualcomm 프로세서보다 뒤쳐지는 Exynos 프로세서를 재조정할 수 있습니다. 삼성은 AMD와 변화를 시도했지만(Exynos 2200은 AMD RDNA 2 아키텍처 기반의 새로운 Xclipse GPU로 무장했습니다) 파트너십은 지금까지 엇갈린 결과를 낳았습니다.
TSMC가 제조 공정의 가격을 인상함에 따라 삼성이 그 측면에서 카드를 어떻게 사용하는지 보는 것은 매우 흥미로울 것입니다. 삼성 공장의 새로운 3nm 노드가 더 저렴해지면 다시 진자를 흔들 수 있습니다. 반면에 Exynos가 탑재된 다음 Galaxy S23은 마케팅에 의미가 없으므로 Qualcomm 변형보다 저렴할 것으로 기대하지 마십시오.
“학생 시절부터 문화와 예술에 깊은 관심을 가진 카 범석은 대중 문화의 세세한 부분에까지 전문 지식을 가지고 있습니다. 그는 맥주를 사랑하며, 특히 베이컨에 대한 깊은 연구와 통찰을 공유합니다. 그의 모험심과 창조력은 독특하며 때로는 트러블 메이커로도 알려져 있습니다.”